強酸による金属–酸化物半導体デバイスにおけるGaN界面状態の低減スキーム｜名古屋大学の研究

PFBSを用いた界面工学により、Ga表面を保護しつつALD工程での熱脱離を可能にすることで、GaN MOS-HEMTsの界面準位密度を大幅に低減できることを明らかにした。

この要約は、論文の要旨をもとに当社が付けたものです。正確な内容は原文で確かめてください。

掲載	2026年9月1日　ACS Applied Electronic Materials
東海・関東の大学の著者	Yuta Furusawa（名古屋大学）、Xigen Li（名古屋大学）、Heajeong Cheong（名古屋大学）、Yoshio Honda（名古屋大学）、Hiroshi Amano（名古屋大学）
著者（全員）	Yuta Furusawa、Xigen Li、Heajeong Cheong、Yoshio Honda、Hiroshi Amano
原文	https://doi.org/10.1021/acsaelm.6c00686

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論文の内容と国会の議論は、テーマが同じものを並べています。著者が国会で発言したという意味ではありません。

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