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Infineon、GaN搭載の軽EV用インバーター開発で中国メーカーと協業：電動二輪車用途で - EE Times Japan

ニュース要約

半導体メーカーのインフィニオンは、中国のメーカーと協力して、次世代の半導体「窒化ガリウム（GaN）」を搭載した、小型電気自動車（軽EV）や電動二輪車向けのインバーターを開発します。GaNは従来のシリコン半導体よりも小型・高効率で、よりパワフルなモーターを駆動できます。この協業により、インフィニオンは中国市場での電動モビリティ分野での地位を強化し、より効率的な電気自動車の開発に貢献することを目指しています。軽量化や航続距離の向上に寄与する技術として期待されます。

元記事：
https://news.google.com/rss/articles/CBMib0FVX3lxTFB5VWF4VlBEUEhvUUx3ZWRWeWVFRHRzRHd3MWNFR3F2RVhjbmxyNDZka0RPVVEwbkU0VDdmZ3hKSTRJSzhDSWRMVHZoeE1tTUxFSlFrN29uRDlCc1BtYlgxeDltLXRLamx1X2Raa2pHSQ?oc=5

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